Exynos 2500, modelul care va motoriza seria Galaxy S25 anul viitor, va fi realizat pe 3 nanometri, spun zvonurile de vineri. Procesorul Samsung este anunțat ca fiind mai eficient energetic decât Snapdragon 8 Gen 4 și vă explic mai jos care este faza.
Ce știm despre Samsung Exynos 2500
Procesorul de generație următoare a Samsung, Exynos 2500, fusese deja „dezvăluit” pe surse. Vă mai explic o dată cum e cu sursele astea: unii au informații de la diverși oficiali în căutare de afirmare. Unii au informații accesând siteuri oficiale și găsind pagini nepublicate încă. Alții accesează detalii din codul sursă al sistemelor de operare, interfețe și aplicații. Iar alții, când nu au alte știri mai interesante, inventează. Păi e la mintea cocoșului că, dacă anul ăsta avem Exynos 2400, anul viitor va face Samsung 2500. Și putem scoate o știre interesantă rapid. Știm că va fi, deci putem spune ceva despre el.
Samsung s-a străduit să ofere eficiență energetică și performanță la ultimele modele Exynos. Se pare că a făcut un mare pas înainte cu SoC-urile din acest an (Exynos 2400). Și dacă este de crezut acest zvon, va depăși produsul de top al Qualcomm în 2025.
Exynos 2500 va fi mai bun decât concurentul său Snapdragon 8 Gen 4 atât în ceea ce privește eficiența energetică, cât și performanța brută, potrivit unei postări de la PandaFlashPro. Da, poate. Sigur și-ar dori. Dar până acum putem spune doar că, pentru prima dată, 2400 a bătut 8 Gen 3 la unele teste.
Exynos 2500 ar fi construit pe o tehnologie de proces de 3 nm. În timp ce Snapdragon 8 din a patra generație se va menține la 4 nm, oferind un avantaj producătorului coreean.
Rapoartele anterioare sugerau că Samsung pregătește două variante de chipset-uri emblematice: Exynos 2500-A cu un procesor octa-core și Exynos 2500-B cu un procesor cu 10 nuclee.
Care este problema cu Snapdragon 8 Gen 4
Un zvon nou apărut lansat zilele trecute a anunțat că Qualcomm cere producătorilor de telefoane baterii mai mari pentru Snapdragon 8 Gen 4. Zvonul provine de la Digital Chat Station (DCS) de pe Weibo, care afirmă că următoarea generație de telefoane ar putea avea baterii „de înaltă densitate”. El adaugă că, până acum, trei dispozitive emblematice care se pregătesc să ruleze următorul cip Qualcomm au început dezvoltarea cu baterii de 5.500 mAh. Deocamdată, doar ROG Phone al Asus avea baterie de 5.500 mAh.
O postare ulterioară a zvonerului de pe Weibo afirmă că bateriile ar putea ajunge la mai mult de 6.000 mAh pentru a potoli foamea de energie a cipului. Speculațiile în jurul valorii crescute de putere a SD 8 Gen 4 s-ar putea datora presupusei sale configurații 2+6 nuclee, a remarcat WCCFTech. Se presupune că această configurație elimină posibilitatea ca Qualcomm să includă orice nuclee de eficiență pentru a reduce cantitatea de energie consumată. Și desigur, pentru a ține pasul cu Dimensity 9400. Despre care se spunea la fel, că are nuclee doar de putere.
